在微电子、光电子、IM电竞 IM电竞appMEMS封装方面，等离子技术正广泛应用于封装材料清洗及活化，对解决电子元器件存在的表面沾污、界面状态不稳定、烧结及键合不合格等缺陷隐患，提升质量管理和工序控制能力具有可操作性的积极作用，改善材料表面特性，提高封装产品性能，需要选择合适的清洗方式和清洗时间，对提高封装质量和可靠性极为重要。

　　等离子清洗及其在电子封装中的应用在半导体器件的生产过程中，晶圆芯片表面可能存在各种颗粒、金属离子等污染物。为了保证集成电路的集成度和器件性能，必须在不破坏芯片和所用其他材料的表面电性能的前提下，对芯片表面进行清洗和去除。否则，会对芯片性能造成致命的影响和缺陷，大大降低产品合格率，制约器件的进一步发展。目前，等离子体在清洗小分子有机物方面具有明显优势，在半导体器件和光电元件封装领域得到推广应用。

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　　等离子清洗机在封装生产中的应用等离子清洗在微电子封装领域具有广阔的应用前景。等离子体清洗技术的成功应用取决于工艺参数的优化，这些参数包括工艺压力、等离子体激发频率和功率、时间和工艺气体种类、反应室和电极的配置以及被清洗工件的放置等。在半导体后端生产过程中，由于指纹、助焊剂、焊料、划痕、污染、灰尘、树脂残留、自热氧化、有机物等，在器件和材料表面形成各种污染物。这些污染极大地影响了包装生产和产品质量。采用等离子体清洗技术，这些在生产过程中形成的分子级污染物可以很容易地被清洗干净，从而显著提高封装的可制造性、可靠性和良率。优化引线键合在芯片和微机电系统（MEMS）封装中，基板、基底和芯片之间存在大量的引线键合。引线键合仍然是连接芯片焊盘与外部引线的重要方式。如何提高引线键合的强度，一直是业界研究的课题。低压等离子体清洗技术是一种有效的、低成本的清洗方法，能有效去除衬底表面可能存在的污染物，如氟化物、氢氧化镍、有机溶剂残留、环氧树脂溢出，键合前对材料的氧化层进行等离子清洗，将显著提高键合强度和键合丝张力的均匀性。对提高引线键合强度有很大的作用。引线键合前，可采用气体等离子体技术对芯片焊点进行清洗，以提高键合强度和成品率。据资料显示，在研究等离子体清洗的有效性时，不同的公司和不同的产品类型在粘接前使用等离子体清洗。提高键合线抗拉强度的程度不同，但对提高器件的可靠性是非常有利的。

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　　倒装焊前的清洗。倒装芯片封装方面，倒装焊前对芯片和载体进行等离子清洗，提高其表面活性，可以有效防止或减少空洞，提高附着力。另一个特点是增加了填充边缘高度，提高了封装的机械强度，降低了由于材料之间热膨胀系数不同而在界面处形成的剪切应力，提高了产品的可靠性和寿命。芯片键合的清洗

　　等离子表面清洗可用于芯片键合前的处理。由于未经处理的材料表面普遍具有疏水性和惰性，其表面粘接性能通常较差，在粘接过程中界面处容易产生空洞。活化后的表面可以改善环氧树脂等高分子材料在表面的流动性能，提供良好的接触表面和芯片键合润湿性，有效防止或减少空洞的形成，并提高导热性能。通常用于清洁的表面活化工艺是通过使用氧气、氮气或这些气体的混合物的等离子体来完成的。

　　引线框的清洗。引线框架在当今的塑料封装中仍占有相当大的市场份额，且主要由具有良好的导热性、导电性和加工性能的铜合金材料制成。然而，铜氧化物和一些其他污染物会导致模塑料和铜引线框架的分层，IM电竞 IM电竞app影响芯片键合和引线键合的质量。保证引线框架的清洁度是保证封装可靠性的关键。研究表明，使用激发频率为13.56MHz的氢氩混合气体可以有效去除引线框架金属层上的污染物。氢等离子体可以去除氧化物，而氩气可以通过电离促进氢等离子体量的增加。为了比较清洗效果，JHHsieh在175°C下对铜引线框架进行氧化，然后使用Ar和Ar/H2（1:4）两种气体进行等离子清洗，时间分别为2.5分钟和12分钟。测试结果表明，引线框架表面氧化物残留量很小，氧含量为0.1at%。

　　管道插座和管帽的清如果长时间存放阀杆帽，表面会有痕迹，可能会有污染。先对阀杆盖进行等离子清洗，去除污染物，再进行盖封，可显著提高盖封合格率。陶瓷包装通常使用金属膏印刷线作为粘合区域和覆盖密封区域。在这些材料表面电镀镍和金之前，采用等离子体清洗去除有机污染物，提高镀层质量。

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